Flagsuns Herstellung deckt die photo-voltaische Wertkette vom Barrenguß Teil und das Wafering durch Solarzellenproduktion und Sonnenkollektor ab. Die ganze Zelle ist mit dem meisten strengen Qualitä Tsstandard in jedem Produktionsprozeß .




Merkmal:
Leistung und Qualitä T
Industrie-Fü Hrende Leistungsfä Higkeit auf P-Typen monokristalline und des Multicrystalline Silikons Solarzelle
Robuste Zuverlä Ssigkeits-Leistung fü R mö Glichen Mudule Nutzen ü Ber 25 Jahren hinaus
Kompatibel mit anwesendem Baugruppe Manufactureing Prozess
PID bestä Ndiges bestä Tigt durch alle Hauptabnehmer und Testlaboratorien
100% optische und elektrische Inline-Inspektion

Kö Rperliche Eigenschaften:



Abmessung: 156*156mm± 0.5mm
Stä Rke: Oblate (si): 200μ M± 20μ M
Zelle: 240μ M± 40μ M
Vorderseite: Silberne Hauptleitungsträ Ger; Dunkelblau/andere Silikonnitridantireflexionsbeschichtung
Rü Ckseite: Silberne/Aluminiumhauptleitungsträ Ger; Voll-Oberflä Che Aluminium BSF

Daten unter Standardtestbedingungen (STC): 1000W/Sq. M, AM1.5, 25º C


Elektrische Eigenschaften  

Leistungsfä Higkeit (%)	20.4	20.6	20.7	2080	2090	2100
Pmax (W)	4.984	5.033	5.057	5.082	5.106	5.131
VOC (V)	0.658	0.661	0.662	0.664	0.665	0.666
ISC (a)	9.595	9.646	9.671	9.697	9.772	9.784
Vmp (V)	0.547	0.549	0.550	0.551	0.552	0.553
Kobold (a)	9.107	9.162	9.189	9.217	9.244	9.272

PAKET
Typisches Paket fü R einen Karton enthä Lt 1.200 Zellen. Die Zellen werden im Zellenkasten jede 100 PC gedichtet
Bruttogewicht pro Gerä Tenkarton ist herum 16.6 Kilogramm


Solarzellen-Produktionszweig

Sä Ubern u. Texturierung: Oblaten werden mit industriellen Seifen gesä Ubert und Quadrat-gegrü Ndete Rufbeschaffenheit der Pyramiden auch bilden. Die Texturierung hilft, die Reflexion des Tageslichtes zu verringern.  

Diffusion: Oblaten, die mit Bor wä Hrend des Gussteilprozesses pre-droped, werden dann eine negative (Ntyp) Oberflä Che gegeben, die indem man sie mit einer Phosphorquelle an der Hochtemperatur charakteristisch ist, zerstreut, die der Reihe nach creats die negative/positive Verzweigung (NP)

Radierung: Phosphor diffundiert nicht nur in die gewü Nschte Oblateoberflä Che aber auch in die Seite und in die gegenü Berliegende Oberflä Che, um PN zu bilden. Dieses gibt einen Shuntpfad zwischen der Zellenvorderseite und der Rü Ckseite. Abbau des Pfades um die Oblaterand-/Randverzweigungslokalisierung wird Radierung benannt

PECVD: Durch PECVD Gerä T werden die Oblaten mit Antireflexionsschicht (LICHTBOGEN) beschichtet. Es ist der blaue silicion Nitridfilm, zum von Reflexion zu verringern und von Absorption des Lichtes zu fö Rdern

Drucken u. Heizung: Es wurde bei der Druckenpaste mit Bildschirmtechnologie angenommen, um die Elektroden von silicion zu drucken Solar und einen guten ohmschen Kontakt bildet
Prü Fung u. Sortieren: Es bedeutet die Klassifizierung der Zellen entsprechend ihrer Leistungsfä Higkeit, die unter dem simulierten Tageslicht geprü Ft wird