Produktbeschreibung
Flagsuns Herstellung deckt die photo-voltaische Wertkette vom Barrenguß Teil und das Wafering durch Solarzellenproduktion und Sonnenkollektor ab. Die ganze Zelle ist mit dem meisten strengen Qualitä Tsstandard in jedem Produktionsprozeß .
Merkmale:
Leistungsfä Higkeit der Konvertierung 1. High mit dem Ergebnis der ü Berlegenen Abgabeleistungleistung
2. Outstanding Abgabeleistung sogar im niedrigen Licht oder in den Hochtemperaturbedingungen
Entwurf 3. Optimized fü R Mü Helosigkeit des Weichlö Tens und der Laminierung
Stabilitä T 4. Long-term, Zuverlä Ssigkeit und Leistung
5. Ausgangsleistungstoleranz von +-3%
Kö Rperliche Eigenschaften:
Modell: | FSC-M156 |
Material: | Monokristallines Silikon |
Format: | 156*156mm± 0.5mm |
Zellen-Leistungsfä Higkeit: | 18.5%-21% |
Maximale Energie: | 5.2W |
Hauptleitungsträ Ger: | 3BB |
Stä Rke: | 200 μ M ± 30 μ M |
Vorderseite (-): | 1.5mm Wandlerhauptleitungsträ Ger, blaue anti-spiegelnde Beschichtung des Silikonnitrids. |
Rü Ckseite (+): | 2.3mm breite weichlö Tende Auflagen (Silber), rü Ckseitige Oberflä Che des Aluminiums archiviert. |
Aktueller Temperaturkoeffizient: | +0.03%/º C |
Spannungstemperaturkoeffizient: | - 0.32%/º C |
Energientemperaturkoeffizient: | - 0.41%/º C |
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Daten unter Standardtestbedingungen (STC): 1000W/Sq. M, AM1.5, 25º C
Leistungsfä Higkeit (%): | 20.2% | 20.4% | 20.6% | 20.8% | 21.0% | 21.2% |
Pmpp (W): | 4.94 | 4.98 | 5.03 | 5.08 | 5.13 | 5.18 |
Vmpp (V): | 0.554 | 0.558 | 0.561 | 0.563 | 0.566 | 0.568 |
Impp (a): | 8.902 | 8.939 | 8.974 | 9.023 | 9.070 | 9.118 |
Uocc (V): | 0.653 | 0.656 | 0.660 | 0.663 | 0.666 | 0.669 |
ISC (a): | 8.902 | 8.939 | 8.974 | 9.023 | 9.606 | 9.118 |
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Solarzellen-Produktionszweig
Reinigung u. Texturierung: Oblaten werden mit industriellen Seifen gesä Ubert und Quadrat-gegrü Ndete Rufbeschaffenheit der Pyramiden auch bilden. Die Texturierung hilft, die Reflexion des Tageslichtes zu verringern.
Diffusion: Oblaten, die mit Bor wä Hrend des Gussteilprozesses pre-droped, werden dann eine negative (Ntyp) Oberflä Che gegeben, die indem man sie mit einer Phosphorquelle an der Hochtemperatur charakteristisch ist, zerstreut, die der Reihe nach creats die negative/positive Verzweigung (NP)
Radierung: Phosphor diffundiert nicht nur in die gewü Nschte Oblateoberflä Che aber auch in die Seite und in die gegenü Berliegende Oberflä Che, um PN zu bilden. Dieses gibt einen Shuntpfad zwischen der Zellenvorderseite und der Rü Ckseite. Abbau des Pfades um die Oblaterand-/Randverzweigungslokalisierung wird Radierung benannt
PECVD: Durch PECVD Gerä T werden die Oblaten mit Antireflexionsschicht (LICHTBOGEN) beschichtet. Es ist der blaue silicion Nitridfilm, zum von Reflexion zu verringern und von Absorption des Lichtes zu fö Rdern
Drucken u. Heizung: Es wurde bei der Druckenpaste mit Bildschirmtechnologie angenommen, um die Elektroden von silicion zu drucken Solar und einen guten ohmschen Kontakt bildet
Prü Fung u. Sortieren: Es bedeutet die Klassifizierung der Zellen entsprechend ihrer Leistungsfä Higkeit, die unter dem simulierten Tageslicht geprü Ft wird
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